속도·용량·고효율 일석삼조
반도체 주도권 확보 경쟁력↑
삼성전자는 28나노 '완전공핍형 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI)' 공정을 기반으로 한 내장형 M램(eMRAM·embeded M램) 솔루션의 양산 체제를 가동, 본격적인 출하를 시작했다고 6일 밝혔다. 이날 기흥 캠퍼스에서 양산 제품의 첫 출하를 기념하는 행사를 했다.
이 솔루션은 데이터 기록 시 삭제 과정이 필요 없고, 기존 플래시 메모리보다 약 1000배 빠른 쓰기 속도를 구현한다. 전원이 꺼진 상태에서 저장된 데이터를 계속 유지해 대기 전력을 추가로 쓰지 않고, 전력 효율 역시 뛰어나다고 회사 측은 설명했다.
삼성전자는 이를 위해 FD-SOI 공정과 내장형 설계 기술을 합쳤다. FD-SOI 공정은 실리콘 웨이퍼 위에 절연막을 씌워 그 위에 트렌지스터를 구성하는 기술이다. 트랜지스터 동작시 발생하는 누설 전류를 크게 줄일 수 있는 특징이 있다. 여기에 내장형(embeded) 메모리 기술을 더했다. 소형 전자 제품에 사용되는 MCU(마이크로컨트롤러유닛)나 SoC(시스템온칩) 같은 시스템 반도체에서 정보 저장 역할을 하는 메모리 모듈이다.
삼성전자 측은 이 솔루션이 단순한 구조를 가지고 있어 기존 로직 공정 기반의 설계에 최소한의 레이어(Layer)를 더하는 것만으로 구현이 가능한 만큼, 수요 업체의 설계 부담을 줄이고 생산비용도 낮출 수 있다고 소개했다. 회사는 올해 안에 1Gb eM램 테스트칩 생산을 시작하는 등 내장형 메모리 솔루션을 확대한다는 계획이다.
업계에서는 삼성전자가 이번 출시로 파운드리 매출을 늘리면서 동시에 미래 반도체 시장의 주도권 확보를 위한 공정 경쟁력을 확보하는 두 마리 토끼를 잡을 것으로 보고 있다.
클리프 라임바흐 IHS마킷 책임연구원은 과거 디지털타임스와의 인터뷰에서 "M램 시장은 D램 시장을 뒤흔들 잠재력이 있다"고 말한 적이 있다.
삼성전자는 내년에 18나노 FD-SOI eM램 공정을 도입할 계획이다.
박정일기자 comja77@
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