`미세공정 한계 극복`…삼성전자, 10나노 초반 D램 개발

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`미세공정 한계 극복`…삼성전자, 10나노 초반 D램 개발

박정일 기자   comja77@
입력 2019-03-21 13:38
[디지털타임스 박정일 기자] 삼성전자가 세계 최초로 10나노 초반 D램 개발에 성공, 미세공정의 한계를 극복하고 반도체 역사에 또 하나의 새로운 획을 그었다. 반도체 고점논란을 실력으로 정면 돌파하겠다는 메시지를 시장에 전달한 것이다.


삼성전자는 세계최초로 '3세대 10나노급(1z) 8Gb 더블데이터레이트(DDR)4 D램' 개발에 성공했다고 21일 밝혔다. 지난 2017년 11월 2세대 10나노급(1y) D램 양산에 돌입한 지 약 16개월 만에 3세대를 개발함으로써 경쟁사들과의 기술격차를 벌리며 '글로벌 메모리 최강자'의 지위를 재확인했다는 평가다.
이 제품은 초고가의 극자외선(EUV) 노광장비를 사용하지 않고도 기존 10나노급 D램보다 생산성을 20% 높일 수 있고, 속도 증가로 전력 효율도 개선했다고 회사 측은 설명했다.

특히 3세대 10나노급(1z) D램 기반의 PC용 DDR4 모듈로 글로벌 CPU(중앙처리장치) 업체의 모든 평가 항목에서 승인을 완료함으로써 글로벌 IT 고객의 수요를 본격 확대해 나갈 수 있게 됐다고 강조했다.



삼성전자는 올 하반기에 이 제품을 본격 양산하고, 내년에는 성능과 용량을 동시에 높인 DDR5, LPDDR5 등 차세대 D램을 본격적으로 공급한다는 계획이다.
회사 관계자는 "미세공정의 한계를 또다시 극복했다는 의미가 있다"면서 "글로벌 주요 고객들과 시스템 개발 단계부터 적극적으로 협력해 차세대 라인업으로 시장을 빠르게 전환할 것"이라고 말했다.

실제로 삼성전자는 고객사들의 공급 요구 수준을 반영해 경기도 평택의 최신 D램 생산라인에서 주력 제품의 생산 비중을 확대하고 있다고 밝혔다. 특히 내년에는 차세대 프리미엄 D램의 수요 확대를 반영해 평택 생산라인에 안정적인 양산 체제를 구축하기로 했다.박정일기자 comja77@dt.co.kr

삼성전자가 21일 세계 최초로 3세대 10나노급(1z) 8Gb DDR4 개발에 성공했다고 밝혔다. 사진은 제품 이미지. <삼성전자 제공>



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