[디지털타임스 박정일 기자] SK하이닉스가 미세공정 전환 속도를 높이고 미래 수요에 선제대응하기 위해 투자한 중국 우시 D램 생산라인 확장공사를 마무리하고 본격적인 가동을 시작한다. 생산 공간 여유를 확보한 만큼 미세공정 전환 속도를 더 높여 수익성을 확대할 기회를 얻었다.
SK하이닉스는 18일 중국 장쑤성 우시시에 있는 메모리 반도체 확장팹(C2F) 준공식을 했다. 이 자리에는 이석희 대표이사 사장을 비롯해 리샤오민 우시시 서기, 궈위엔창 강소성 부성장 등 약 500명의 주요 인사들이 참석했다.
SK하이닉스는 2004년 우시시와 현지 공장 설립을 위한 계약을 체결하고 2006년 생산라인을 완공해 D램 생산을 시작했다. 당시 건설한 C2는 SK하이닉스의 첫 300㎜ 팹(FAB)으로 지금까지 SK하이닉스 성장에 큰 역할을 담당해 왔다.
하지만 공정 미세화로 공정수가 늘고 장비도 커져 공간이 부족해졌다. 이에 회사는 2017년 6월부터 2019년 4월까지 총 9500억원을 투자 추가 증설을 했다.
이번에 준공한 C2F는 건축면적 5만8000㎡(1만7500평, 길이 316m, 폭 180m, 높이 51m)의 단층 팹으로, 기존 C2 공장과 비슷한 규모다. SK하이닉스는 C2F의 일부 클린룸 공사를 완료하고 장비를 입고해 D램 생산을 시작했다.
이후 추가적인 클린룸 공사와 장비입고 시기는 시황에 따라 탄력적으로 결정할 예정이라고 회사 측은 설명했다. 업계 관계자는 "이번 증설로 우시 공장의 D램 생산 능력은 웨이퍼 기준 기존 월 12만장 수준에서 18만장 수준으로 늘어날 것"이라며 "이에 따라 하이닉스의 D램 사업에서 중국 생산라인이 차지하는 비중은 약 40~50%에 이를 것"이라고 말했다.
현재 SK하이닉스는 경기도 이천에 D램과 낸드플래시 생산라인인 M10, M14을, 충북 청주에 낸드플래시 생산라인인 M11과 M12, M15을 각각 가동하고 있으며, 이천에는 M16을 내년 준공할 예정이다.
업계에서는 이번 증설로 SK하이닉스의 미세공정 속도가 더 빨라질 것으로 보고 있다. 우시 공장은 늘어나는 중국 현지 수요에 대응하다 보니 미세공정 전환을 위한 신규장비 도입 등이 사실상 어려웠던 것으로 알려졌다.
하지만 이번 증설로 10나노대 D램 비중을 빠르게 늘릴 수 있는 여유를 얻었다. 기존 라인과의 호환으로 미세공정 전환 과정에서 발생하는 생산 감소를 최소화 할 수 있다.
시장조사업체 D램익스체인지의 보고서에 따르면 SK하이닉스의 작년 4분기 D램 시장점유율은 31.2%로 전 분기(29.1%)보다 소폭 상승했다. 삼성전자의 점유율이 같은 기간 41.3%로 4.2%포인트 하락한 대신, SK하이닉스가 일정 수준 그 자리를 메운 것이다.
다만 10여 년 전 과도한 증설 경쟁에 따른 소위 '치킨게임'은 없을 것으로 보인다. 한 업계 관계자는 "이미 (치킨게임을)학습한 만큼 메모리 업체들이 저가 경쟁은 하지 않을 것"이라고 말했다.
한편 SK하이닉스는 세계 최대 시장인 중국 시장에서 다양한 사업 확장과 사회적 가치 창출 활동을 하고 있다. SK하이닉스에서 분사한 파운드리(반도체 수탁생산) 업체 SK하이닉스시스템아이씨의 경우 우시에서 현지 업체와 파운드리 합작 공장을 짓고 있다.
회사는 또 사회적 기업인 'SK하이닉스 행복(우시) 클리닝 유한공사'를 건립하고, 3억 달러를 투자해 종합병원을 짓는 등 현지 사회공헌 활동도 확대하고 있다.박정일기자 comja77@dt.co.kr
이석희 SK하이닉스 대표이사(CEO) 사장이 18일 중국 우시에서 열린 SK하이닉스 중국 우시 확장팹(C2F) 준공식에서 환영사를 하고 있다.
SK하이닉스 중국 우시 반도체 공장 전경. SK하이닉스는 오는 18일 우시 메모리반도체 확장팹 준공식을 열고 본격 가동을 시작했다.
