탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN) 기반의 차세대 전력반도체가 새롭게 주목받으면서 특허출원이 활기를 띠고 있다.
20일 특허청에 따르면 차세대 전력반도체 관련 특허 출원이 2015년 10건에서 지난해 33건으로 매년 큰 폭의 상승세를 기록했다.
이는 전기자동차, 신재생에너지 등 고전압 응용분야의 수요가 급증할 것으로 예상되는 차세대 전력반도체에 대한 연구개발이 활발히 이뤄진 결과로 분석된다.
기존 실리콘 기반 전력반도체는 저렴하지만, 가혹한 차량운행 환경에서 고도의 내구성과 신뢰성을 확보하기에는 한계가 있었다. 이에 비해, 탄화규소, 질화갈륨 기반 전력반도체는 고온·고압에서 안정적으로 작동해 전력효율 향상 및 소형화·경량화 등 기능을 획기적으로 개선할 수 있는 장점이 있다. 다만 공정 구현이 어렵고, 비용이 많이 소요되는 단점이 있어 상용화를 위해 이를 해결해야 하는 기술적 과제를 안고 있다.
출원인을 보면 내국인 비중이 2015년 40%에서 2018년 66.6%로 늘었다. 이는 비메모리 반도체 분야에 대한 국내 기업의 투자가 늘고 있기 때문으로 파악된다. 아울러 2017년 이전까지 연간 5건 미만이던 중소·중견기업의 출원이 2018년 13건으로 크게 증가했다.
이동영 특허청 전자부품심사팀장은 "정부가 지난 5월 차세대 전력반도체 개발을 집중 지원키로 발표함에 따라 국내 기업의 출원은 더욱 늘어날 것으로 예상된다"며 "팹리스 중소·중견기업에게 전력반도체는 새로운 기회의 영역인 만큼 강한 특허로 무장할 필요가 있다"고 말했다.
