3일 업계에 따르면 삼성전자는 지난달 미국 캘리포니아주 마운틴뷰에서 열린 글로벌 반도체 학회 '멤콘 2024'에서 6세대 10나노급 D램의 양상 계획을 밝혔다.
삼성전자는 2020년 10나노급 1세대 D램에 업계 최초로 적용한 극자외선(EUV) 공정을 고도화해 초미세 회로를 제작, 제품을 양산한다는 구상이다.
경계현 삼성전자 DS(디바이스솔루션) 부문장은 지난달 주주총회에서 올해 사업전략을 발표하며 "D1c(6세대 10나노급) D램, 9세대 V낸드 같은 신공정을 최고의 경쟁력으로 개발해 업계를 선도하겠다"고 강조한 바 있다.
삼성전자는 지난해 5월 업계 최소 선폭 공정으로 5세대 10나노급 16기가비트(Gb) DDR5 D램 양산에 들어갔다. 삼성전자는 또 10나노급 7세대 제품을 2026년쯤 양산하고 2027년 이후에는 한 자릿수 나노 공정을 통한 D램 생산에 도전하겠다는 계획이다.윤선영기자 sunnyday72@dt.co.kr
[ 저작권자 ⓒ디지털타임스, 무단 전재 및 재배포 금지 ]
